Infineon Technologies - FZ1200R17HP4B2BOSA2

KEY Part #: K6532954

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Pagpepresyo (USD) [92pcs Stock]

  • 1 pcs$389.13889

Bilang ng Bahagi:
FZ1200R17HP4B2BOSA2
Tagagawa:
Infineon Technologies
Detalyadong Paglalarawan:
MODULE IGBT IHMB130-1.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga module ng Power driver, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Thyristors - Mga SCR and Thyristors - SCR - Mga Module ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Infineon Technologies FZ1200R17HP4B2BOSA2 electronic components. FZ1200R17HP4B2BOSA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FZ1200R17HP4B2BOSA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FZ1200R17HP4B2BOSA2 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : FZ1200R17HP4B2BOSA2
Tagagawa : Infineon Technologies
Paglalarawan : MODULE IGBT IHMB130-1
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng IGBT : Trench Field Stop
Pag-configure : Half Bridge
Boltahe - Pagkalugi ng kolektor ng Emitter (Max) : 1700V
Kasalukuyang - Kolektor (Ic) (Max) : 1200A
Kapangyarihan - Max : 7800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.25V @ 15V, 1200A
Kasalukuyang - Collector Cutoff (Max) : 5mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce : 97nF @ 25V
Input : Standard
NTC Thermistor : No
Temperatura ng pagpapatakbo : -40°C ~ 150°C
Uri ng Pag-mount : Chassis Mount
Pakete / Kaso : Module
Package ng Tagabigay ng Device : Module