NXP USA Inc. - PHX23NQ10T,127

KEY Part #: K6400125

[3505pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    PHX23NQ10T,127
    Tagagawa:
    NXP USA Inc.
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET N-CH 100V 13A TO220F.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Thyristors - Mga TRIAC, Diode - Zener - Arrays, Diode - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Transistor - Programmable Unijunction and Transistor - IGBTs - Mga Module ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in NXP USA Inc. PHX23NQ10T,127 electronic components. PHX23NQ10T,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHX23NQ10T,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHX23NQ10T,127 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : PHX23NQ10T,127
    Tagagawa : NXP USA Inc.
    Paglalarawan : MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
    Serye : TrenchMOS™
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : N-Channel
    Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 100V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 13A (Tc)
    Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 1187pF @ 25V
    Tampok ng FET : -
    Power Dissipation (Max) : 27W (Tc)
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Through Hole
    Package ng Tagabigay ng Device : TO-220F
    Pakete / Kaso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab