Vishay Siliconix - SI7812DN-T1-E3

KEY Part #: K6405106

SI7812DN-T1-E3 Pagpepresyo (USD) [88065pcs Stock]

  • 1 pcs$0.44400
  • 3,000 pcs$0.41599

Bilang ng Bahagi:
SI7812DN-T1-E3
Tagagawa:
Vishay Siliconix
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Transistors - IGBTs - Single, Transistor - IGBTs - Mga Module, Transistor - Mga FET, MOSFET - Single, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors and Transistor - IGBTs - Arrays ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in Vishay Siliconix SI7812DN-T1-E3 electronic components. SI7812DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7812DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7812DN-T1-E3 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : SI7812DN-T1-E3
Tagagawa : Vishay Siliconix
Paglalarawan : MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
Serye : TrenchFET®
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 75V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 35V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Surface Mount
Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® 1212-8
Pakete / Kaso : PowerPAK® 1212-8

Maaari ka ring Makisalamuha sa