Vishay Siliconix - SIA913DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524230

[3900pcs Stock]


    Bilang ng Bahagi:
    SIA913DJ-T1-GE3
    Tagagawa:
    Vishay Siliconix
    Detalyadong Paglalarawan:
    MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    Sa stock
    Buhay sa istante:
    Isang taon
    Chip Mula:
    Hong Kong
    RoHS:
    Paraan ng Pagbayad:
    Paraan ng pagpapadala:
    Mga Kategorya ng Pamilya:
    Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Mga Transistor - Bipolar (BJT) - RF, Thyristors - SCR - Mga Module, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Diode - Iba't ibang Kakayahan (Varicaps, Varactors, Transistor - Bipolar (BJT) - Arrays, Diode - Mga Rectifier ng Bridge, Thyristors - Mga SCR and Mga Transistor - JFET ...
    Kumpetensyang Pakinabang:
    We specialize in Vishay Siliconix SIA913DJ-T1-GE3 electronic components. SIA913DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA913DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIA913DJ-T1-GE3 Mga katangian ng produkto

    Bilang ng Bahagi : SIA913DJ-T1-GE3
    Tagagawa : Vishay Siliconix
    Paglalarawan : MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
    Serye : TrenchFET®
    Katayuan ng Bahagi : Obsolete
    Uri ng FET : 2 P-Channel (Dual)
    Tampok ng FET : Standard
    Drain sa Source Voltage (Vdss) : 12V
    Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 8V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 6V
    Kapangyarihan - Max : 6.5W
    Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Uri ng Pag-mount : Surface Mount
    Pakete / Kaso : PowerPAK® SC-70-6 Dual
    Package ng Tagabigay ng Device : PowerPAK® SC-70-6 Dual

    Maaari ka ring Makisalamuha sa