IXYS - IXTH12N150

KEY Part #: K6394917

IXTH12N150 Pagpepresyo (USD) [9758pcs Stock]

  • 1 pcs$4.66879
  • 30 pcs$4.64556

Bilang ng Bahagi:
IXTH12N150
Tagagawa:
IXYS
Detalyadong Paglalarawan:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Sa stock
Buhay sa istante:
Isang taon
Chip Mula:
Hong Kong
RoHS:
Paraan ng Pagbayad:
Paraan ng pagpapadala:
Mga Kategorya ng Pamilya:
Ang KEY Components Co, LTD ay isang Electronic Components Distributor na nag-aalok ng mga kategorya ng produkto kasama ang: Transistor - Programmable Unijunction, Transistor - Mga FET, MOSFET - Arrays, Thyristors - DIACs, SIDACs, Diode - RF, Mga Transistor - FET, MOSFET - RF, Mga Transistor - JFET, Transistor - IGBTs - Mga Module and Mga module ng Power driver ...
Kumpetensyang Pakinabang:
We specialize in IXYS IXTH12N150 electronic components. IXTH12N150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH12N150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH12N150 Mga katangian ng produkto

Bilang ng Bahagi : IXTH12N150
Tagagawa : IXYS
Paglalarawan : MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
Serye : -
Katayuan ng Bahagi : Active
Uri ng FET : N-Channel
Teknolohiya : MOSFET (Metal Oxide)
Drain sa Source Voltage (Vdss) : 1500V
Kasalukuyang - Patuloy na Drain (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Boltahe sa Pagmaneho (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds : 3720pF @ 25V
Tampok ng FET : -
Power Dissipation (Max) : 890W (Tc)
Temperatura ng pagpapatakbo : -55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag-mount : Through Hole
Package ng Tagabigay ng Device : TO-247 (IXTH)
Pakete / Kaso : TO-247-3